Número do Produto do Fabricante:
IPF13N03LA G
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPF13N03LA G-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 25 V 30A (Tc) 46W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-23
Inventário:
468 Pcs Novo Original Em Estoque
12801257
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IPF13N03LA G Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Cut Tape (CT)
Série
OptiMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
25 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12.8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 20µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
8.3 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1043 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
46W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO252-3-23
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
IPF13N
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IPF13N03LAGINTR
IPF13N03LAINTR-DG
IPF13N03LAGXTINTR-DG
IPF13N03LAINCT-DG
IPF13N03LA
IPF13N03LAINTR
IPF13N03LAGXT
IPF13N03LAG
IPF13N03LAGINTR-NDR
IPF13N03LAGINCT-NDR
SP000017610
IPF13N03LAINCT
IPF13N03LAGXTINTR
IPF13N03LAGINCT
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IPD135N03LGXT
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
IPC100N04S51R7ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
IPL65R420E6AUMA1
MOSFET N-CH 650V 10.1A THIN-PAK
